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      山東鄰社光電第三代全彩小間距LED顯示屏半導體

      文章出處:www.guangyingled.com 人氣:發表時間:2022-05-16 00:02

      第三代半導體碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)具備高熱導率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率等物理特性,因此其天然適合對高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等惡劣條件要求較高的應用,被視為電力電子領域的顛覆性技術。
       
      4月29日,TrendForce集邦咨詢化合物半導體分析師龔瑞驕在“2022集邦咨詢化合物半導體線上交流會”上介紹了第三代半導體市場現狀以及對未來的展望。
       
      第三代半導體將在中國“新基建”領域發揮重要作用
       
      近年來中國大力發展新基建,其中包括5G基站、數據中心、新能源汽車充電樁、軌道交通等七大領域以及底層的可再生能源,而以SiC和GaN為首的第三代半導體則正是支撐新基建發展的核心半導體材料,因此也迎來了巨大的市場機會,備受資本青睞。
       
      據TrendForce集邦咨詢統計,2021年至今已有許多從事第三代半導體事業的相關廠商獲得融資,碳化硅領域有泰科天潤、瀚薪、同光晶體、天域半導體、瞻芯、派恩杰、芯粵能等,氮化鎵領域則有GaNSystems、CGD、IVWorks、VisIC、英諾賽科、晶湛半導體、鎵未來等等。
       
       “近年來第三代半導體業者也在積極登陸資本市場,去年Wolfspeed和Navitas分為作為碳化硅和氮化鎵行業領頭羊成功完成上市,今年國內的山東天岳也已經登陸科創板,海外Transphorm公司則成功轉板登陸納斯達克,另外GaNSystems、Odyssey、天科合達、同光晶體等廠商也正在籌備IPO,整個產業的資本熱度持續高居不下。”龔瑞驕談道。
      功率半導體產業發展的核心驅動力是能源轉換革命。受益于新能源汽車、光伏儲能、智能電網、工業自動化等下游應用市場需求的多點爆發,功率半導體市場迎來了此輪高景氣周期。
       
      據TrendForce集邦咨詢預測,2022年SiC/GaN功率半導體市場規模將成長至18.4億美金,至2025年可達52.9億美金。其中,汽車和消費電子應用分別主導著SiC和GaN功率市場發展。
       
       “汽車應用將占據2022年SiC市場近67%份額,其中特斯拉貢獻了絕大部分營收,其他參與車企還包括現代、比亞迪、蔚來、小鵬等。”龔瑞驕分析道。隨著新能源車滲透率不斷提高,SiC將大規模上車應用,特別是在800V高壓平臺中。“相較于Si-based IGBT,SiC功率模塊在800V高壓系統中的優勢將會進一步放大,未來或將成為800V汽車動力總成系統中的標配功率半導體元件。”
       
      值得注意的是,目前SiC已被應用至汽車主驅逆變器、OBC、DC-DC等組件中,其中主驅逆變器是SiC核心價值所在。
       
      目前國際上主流的車規級SiC玩家主要有STM、Infineon、Wolfspeed、ROHM和Onsemi,均已與各大領先車企建立了全面合作關系。近年來,亦有眾多中國廠商在積極推進本土車規SiC進程,并取得了不錯的進展,其中包括瀚薪、泰科天潤、派恩杰、瞻芯、愛仕特等,以及從事SiC模塊封裝的比亞迪、斯達、芯聚能等。
       
      另外,快速增長的SiC工業市場亦不容小覷,重點應用場景為光伏逆變器以及UPS等,Infineon正憑借IGBT優勢在此快速擴大市場。陽光電源、SMA等廠商已經開始推進SiC替代方案,期待提升光伏逆變器功率密度,進一步降低度電成本。在軌道交通應用中,各國正在加大力度開發基于SiC技術的交通工具。
       
      另外,SiC消費電子市場規模也在不斷擴大,比較典型的便是與GaN功率元件搭配共同應用至快速充電頭中。
       
      GaN功率元件于消費電子市場率先放量,工業、汽車應用潛力巨大
       
      現階段GaN功率市場由消費電子主導,快速充電頭是當前GaN功率元件的最大應用領域,今年三星亦在其S22旗艦機旅行適配器中搭載了Navitas與GaN Systems產品,這再次印證了國際大廠對GaN快充產品的認可。
       
      截止目前,三星、小米、OV、戴爾、聯想等手機及PC大廠均已在其適配器產品中搭載GaN功率元件。除此以外,GaN功率元件亦將在超薄電視等其他消費電子場景發揮重要作用。
       
      數據中心、通信基站、光伏逆變器等工業市場亦開始逐步采納GaN替代方案,其中數據中心和通信基站作為耗電大戶,GaN電力電子技術可助力終端設備降低電力成本,并提高運行效率。與此同時,中國已開啟龐大的“東數西算”工程,相信這將很大程度上促進GaN技術進一步滲透。
       
      至于可再生能源方面,GaN功率元件十分適合戶用微型逆變器,Navitas已與美國Enphase等領先廠商展開合作,共同推動GaN技術應用。
       
      另外,GaN汽車市場同樣備受期待,雖目前其規模仍然太小,但寶馬、緯湃科技等車企或Tier1已經躍躍欲試,期待借助GaN技術生產出性能更佳的動力系統組件,例如OBC、DC-DC、逆變器等。
       
      另外GaN的高速特性作用于車載激光雷達優勢明顯,EPC等公司長期致力于此,可助力激光雷達看得更遠、更快、更清晰。相信未來隨著硅基氮化鎵元件向高耐壓邁進,以及垂直結構器件不斷突破,GaN將有望與SiC共同搶占高壓汽車組件市場。
       
      結語
       
      第三代半導體SiC和GaN通過突破Si性能極限,來開拓高端應用市場,也將在部分與Si交叉領域達到更高的性能和更低的系統性成本,因此被視為后摩爾時代材料創新的關鍵角色。
       
      全球能源技術革命已經開啟,并向材料領域滲透,相信第三代半導體將在實現碳達峰、碳中和的過程中發揮重要作用。

      此文關鍵字:山東,鄰社,光電,第三代,全彩,小,間距,LED,

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